日本DRAM大廠爾必達（Elpida）與德國DRAM大廠奇夢達（Qimonda）昨（24）日宣布，已簽訂共同開發技術合作意向書，攜手開發新世代DRAM技術，不僅宣告溝槽式記憶體陣營將成為過去式，奇夢達也將與力晶化敵為友，與爾必達站在同一陣線力抗業界龍頭韓國三星電子。
這是繼上月初台塑集團旗下南亞科技宣布將與奇夢達終止合作，轉投美商美光（Micron）陣營後，全球DRAM業又一次勢力大重組。根據DRAM市調機構集邦科技（DRAMeXchange）調查，奇夢達與爾必達去年全球市占率排名分居第三、四名，兩家結盟後市占率25.6%，超過三星的25.5%，成為全球第一大DRAM陣營。
「E（Elpida）Q（Qimonda ）聯盟」形成後，雙方將以堆疊式（Stack）技術為基礎，攜手進行新世代DRAM技術研發，最快2010年將有成果問世。
過去奇夢達與爾必達分屬全球DRAM兩大集團勢力，奇夢達代表溝槽式（Trench）技術陣營，原聯盟成員包括南科、華亞科、華邦電、中芯等；爾必達則主攻堆疊式，聯盟成員包括力晶、中芯等，兩大勢力相互競爭，但雙方結盟後，將從競爭者轉換為合作夥伴。
對於爾必達將與奇夢達結盟，力晶昨天表示「樂見其成」。力晶透露，爾必達先前已有告知該公司「會新增合作伙伴」，不過，力晶是爾必達最早期且最重要的合作夥伴，雙方關係不會因為奇夢達的加入而有改變。
根據爾必達與奇夢達發布的新聞稿，兩家公司將聯手開發新一代的記憶體晶片，由奇夢達提供其創新的Buried Word-line關鍵技術，爾必達則提供其先進的堆疊技術，加速在DRAM 4F2Cell尺寸產品藍圖發展，預計在2010 年推出共同開發的40奈米製程技術，並向下延伸至30奈米世代。
兩家公司也計畫共同發展技術平台及設計規範，以促成產品交換及合資生產的可行性，目前雙方也鎖定在各自的日本廣島及德國德勒斯登廠，密切合作研發計畫，同時也尋求在直通矽晶穿孔技術（Through Sili-con Via）及未來記憶體的合作可能。
昨天美股開盤不久，奇夢達美國存託憑證（ADR）股價上漲6.20%；爾必達歐洲存託憑證（GDR）上漲3.02%，三星GDR也上漲2.24%。
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