close
| ||
DRAM記憶體技術主要分為溝槽式（Trench）與堆疊式（Stack）兩種。溝槽式顧名思義，是採晶圓表面向下挖溝擴大表面積的方式來擴大電容量，優點是單片晶圓裸晶數可較堆疊式多10%左右，缺點是牽涉高階製程的物性限制較高，可能影響良率。 堆疊式則採用上疊方式增加表面積來提高電容量，優點是電容量擴充性佳，高階製程物性的限制較易克服，但較不利於系統單晶片的開發。由於溝槽式一再向下挖深以擴大電容量，在晶圓厚度有限下，難免有其物理極限，甚至產生電晶體最忌諱的「漏電」疑慮，因此一路發展下來較為辛苦。 |
全站熱搜
留言列表
