未上市/理財致富網0938274983

NAND Flash市場已進入50奈米製程世代，三星和海力士分別採50奈米和57奈米製程，量產8Gb和 16Gb容量MLC晶片，為高容量NAND Flash揭開序幕，下一世代製程分別為40奈米和48奈米，預計第3季之後進入量產。至於東芝和美光、英特爾(Intel)所合資IM Flash，由於東芝目前技術為56奈米製程，IM Flash則為50奈米製程，東芝正打算讓43奈米製程接棒成主流，IM Flash則打算直接跳到35奈米製程世代。

記憶體業者表示，以目前主流50奈米製程成本結構來看，現在NAND Flash價格其實已相當低，這亦是近期NAND Flash市場表面上看似風平浪靜，即使價格下跌、也是呈緩跌方式，加上龍頭廠三星策略得宜，使得供給面控制不錯。

然下游客戶透露，NAND Flash市場檯面下戰況其實相當激烈，三星為穩定NAND Flash價格，擴大實施成卡策略，大量製作記憶卡以利走貨，使得下游客戶在成本壓力下，直接購買記憶卡比購買NAND Flash更優惠，然此舉卻使得海力士、美光和東芝壓力大增，下游客戶頻要求這些NAND Flash大廠調降顆粒價格，才能與三星陣營客戶競爭，否則向海力士、美光和東芝買顆粒再做成記憶卡，成本將不如直接跟三星買卡，引發NAND Flash大廠和模組客戶之間拉鋸戰。

部分下游業者則表示，整個市場主要還是受到蘋果(Apple)訂單仍未回籠影響，信心面太過薄弱，使得整個市場對於利多和利空消息都相當敏感，其實市場供需狀況仍正常，雖然沒有大漲本錢，但也沒有大跌空間。