政府為協助台灣DRAM廠成為全球記憶體產業霸主，數年前便予台系DRAM廠各項優惠措施，助其興建12吋晶圓廠降低生產成本。而近來為使台系DRAM廠於先進記憶體技術上取得進入門檻，計劃投資上億元參與台系DRAM廠所共同組成的相變化非揮發性記憶體(PCM)聯盟，而這也是全球記憶體產業中，首度有政府勢力介入協助廠商研發下世代記憶體案例。
數年前政府提出兩兆雙星產業，而當中的一兆便是半導體產業，而半導體產業中又以記憶體產業佔整體半導體產值相當大部分，政府也不斷替台系DRAM廠設想，盡力協助大量興建12吋廠，讓台系DRAM廠有效降低生產成本，提高於記憶體產業中競爭優勢。最近，政府再度出招，全力扶持台灣DRAM廠在下世代記憶體產品中，領先取得進入門票。
據了解，3年前台系DRAM廠與工研院共組聯盟，希望共同完全PCM產品研發，至今台系DRAM廠已出資約1.6億元，於工研院內部8吋實驗生產線上，成功研發出4Mb的PCM產品，且該顆PCM商品無論是在寫入電流上、耗電上、產品體積上與寫入速度上，與國際半導體大廠相較可說不遑多讓。
而到2008年6月該聯盟屆滿3年後，政府為能有效扶持台灣DRAM廠在下世代PCM記憶體市場站穩腳步 ，已計劃投入上億元資金加入此一聯盟，而這也是全球各大發展PCM族群中，首度有政府勢力加入，該聯盟計畫主持人工研院奈米電子技術研發組長蔡銘進博士表示，目前看來政府將與台系DRAM廠出相同資金，但進一步細節仍需相關人士討論後再行決議。
不過他進一步表示，目前進入PCM聯盟進入第二階段後，原本該聯盟內的DRAM廠均表示相當意願參與此研發聯盟，且該聯盟認為未來2~3年內，將推出4Mb的PCM產品進入送樣階段，而這樣的進度與國際半導體大廠相較可說一點也不遜色。
過去2年該聯盟光是專利便已申請高達175件，這在半導體業界中已算是相當快速的，而就單純投資報酬率來看，參與這聯盟的台系DRAM廠應該會認為是相當值得的。
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